अध्याय 1: ठोस अवस्था 

1. क्रिस्टल के सीमित पैकिंग में सबसे अधिक खाली स्थान होता है

  • सरल घन इकाई सेल में
  •  पिण्ड केन्द्रित (bcc) में
  • फलक केन्द्रित में (fcc)
  •  इनमें सभी
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सरल घन इकाई सेल में

2. किस क्रिस्टल संरचना में सीमित पैकिंग अधिकतम होता है

  •  सरल घन इकाई सेल (sc)
  • फलक केन्द्रित सेल (fcc)
  • पिण्ड केन्द्रित सेल (bcc)
  •  इनमें से कोई नहीं
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फलक केन्द्रित सेल (fcc)

3. bcc संरचना में पैकिंग दक्षता एवं voids होता है

  •  90% तथा 10%
  • 80% एवं 20%
  • 70% एवं 30%
  • 68% एवं 32%
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68% एवं 32%

4. fcc या hcp या ccp में पैकिंग दक्षता तथा void की प्रतिशतता है

  • 74, 26
  •  68, 32
  •  70, 30
  •  इनमें से कोई नहीं
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74, 26

5. क्रिस्टल में समन्वय संख्या में वृद्धि होती है

  • ताप वृद्धि से
  •  दाब वृद्धि से
  •  दोनों से
  • इनमें से कोई नहीं
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 दाब वृद्धि से

6. डायमण्ड (हीरा) में पैकिंग दक्षता एवं void (खाली स्थान) की प्रतिशतता है

  • 34 एवं 66
  • 70 एवं 30
  • 80 एवं 20
  •  50 एवं 50
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34 एवं 66

7. fcc संरचना में प्रति परमाणु/आयन (i.e., sphere) Octahedral voids की संख्या है

  • 2
  • 4
  •  8
  • 1
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4

8. निम्न में किसमें Frenkel defect है

  • Sodium Chloride
  •  Graphite
  • Diamond
  •  Silver bromide

 

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 Silver bromide

9. क्रिस्टल में Schottky defect पाया जाता है, जब

  • समान संख्या धनायन तथा ऋणायन गायब होता है
  • असमान संख्या में धनायन तथा एनायन गायब होता है
  •  आयन interstitial sites में फँसता है
  •  क्रिस्टल का घनत्व बढ़ता है
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समान संख्या धनायन तथा ऋणायन गायब होता है

10. क्रिस्टल में स्थान जालक की संख्या होती है।

  • 20
  •  14
  • 230
  • 13
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 14

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